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23LCV1024-I/SN
SRAM, SERIAL, 1MBIT, 2.5-5.5V, 8SOIC
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte Fabricante23LCV1024-I/SN
No. Parte Newark66W2170
Hoja de datos técnicos
Tamaño de la Memoria0
Tipo de SRAMSynchronous SRAM
Configuración Memoria SRAM0
Densidad de Memoria1Mbit
Tensión de Alimentación, Rango0
Configuración de Memoria128K x 8bit
Estuche / Paquete CISOIC
Memoria, Tipo0
No. de Pines8Pines
Tensión de Alimentación Mín.2.5V
Tiempo de Acceso0
Tensión de Alimentación Máx.5.5V
Tensión de Alimentación Nom.-
Frecuencia Max de Reloj20MHz
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tamaño de la Memoria
0
Configuración Memoria SRAM
0
Tensión de Alimentación, Rango
0
Estuche / Paquete CI
SOIC
No. de Pines
8Pines
Tiempo de Acceso
0
Tensión de Alimentación Nom.
-
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de SRAM
Synchronous SRAM
Densidad de Memoria
1Mbit
Configuración de Memoria
128K x 8bit
Memoria, Tipo
0
Tensión de Alimentación Mín.
2.5V
Tensión de Alimentación Máx.
5.5V
Frecuencia Max de Reloj
20MHz
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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