AT28LV010-20TU

El AT28LV010-20TU es una memoria de solo lectura programable y borrable eléctricamente de 1 MB de alto rendimiento de 3 V, organizada como 131072 palabras por 8 bits. Fabricado con tecnología CMOS avanzada no volátil, el dispositivo ofrece tiempos de acceso a 200ns con una disipación de energía de solo 54mW. Cuando se deselecciona el dispositivo, la corriente de espera del CMOS es inferior a 20µA. Se accede al AT28LV010 como una RAM estática para el ciclo de lectura o escritura sin la necesidad de componentes externos. El dispositivo contiene un registro de página de 128 bytes para permitir la escritura de hasta 128 bytes simultáneamente. Durante un ciclo de escritura, las direcciones y de 1 a 128 bytes de datos se bloquean internamente, liberando la dirección y el bus de datos para otras operaciones. Tras el inicio de un ciclo de escritura, el dispositivo escribirá automáticamente los datos bloqueados mediante un temporizador de control interno. Tras el inicio de un ciclo de escritura, el dispositivo escribió automáticamente los datos bloqueados mediante un temporizador de control interno. Una vez que se ha detectado el final de un ciclo de escritura puede comenzar un nuevo acceso para lectura o escritura.

• Operación de escritura con paginación automática
• Tiempos de ciclo de escritura rápidos
• Disipación de baja potencia
• Protección de datos de software y hardware
• Sondeo de datos para detección de fin de escritura
• Tecnología CMOS de alta confiabilidad
• Resistencia - 10⁵ ciclos
• Retención de datos - 10 años
• Pinout de ancho de byte aprobado por JEDEC
• Producto ecológico sin Sb/Br