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DN1509N8-G
MOSFET de Potencia, Canal N, 90 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteDN1509N8-G
No. Parte Newark85X3182
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds90
Intensidad Drenador Continua Id360
Resistencia de Activación Rds(on)3.2ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6
Diseño de TransistorSOT-89
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)0
Disipación de Potencia Pd1.6W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
Disipación de Potencia1.6
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
90
Resistencia de Activación Rds(on)
3.2ohm
Diseño de Transistor
SOT-89
Voltaje de Prueba Rds(on)
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
360
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.6W
Disipación de Potencia
1.6
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza DN1509N8-G
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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