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MSC025SMA120B4
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
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FabricanteMICROCHIP
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No. Parte Newark29AK2547
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $42.440 |
| 5+ | $41.720 |
| 10+ | $40.980 |
| 25+ | $39.960 |
| 50+ | $38.920 |
| 100+ | $37.530 |
| 250+ | $36.130 |
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteMSC025SMA120B4Copiar
No. Parte Newark29AK2547
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id103
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.025
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia500
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Resumen del producto
MSC025SMA120B4 is a 1200V, 25mohm silicon carbide (SiC) power MOSFET in a 4-lead TO-247 package. It delivers high efficiency with low switching and conduction losses, fast switching speed, and robust avalanche performance. Designed for high-power and high-temperature applications, it is ideal for use in EV chargers, solar inverters, motor drives, and industrial power supplies.
- Low on-resistance RDS(on) reduces conduction losses, improving efficiency and thermal performance
- Supports high-frequency operation for smaller magnetics, higher power density, and lower cost
- Superior avalanche ruggedness and short-circuit withstand time
- HV-H3TRB proven capability ensures long-term reliability in high humidity environments
- Lower VGS and standard package enables improved compatibility with standard gate drivers
- Increased creepage distance (notch) improves safety and reliability in high-voltage designs
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8
Disipación de Potencia
500
Rango de Producto
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
103
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.025
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto