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MSC040SMA120B
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 66 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteMSC040SMA120B
No. Parte Newark78AH6570
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSencillo
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Intensidad Drenador Continua Id66A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)0.04ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.04ohm
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.7V
Disipación de Potencia323W
Disipación de Potencia Pd323W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Sencillo
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.04ohm
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.7V
Disipación de Potencia Pd
323W
Rango de Producto
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
66A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.04ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
323W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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