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MSC080SMA120B
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 37 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteMSC080SMA120B
No. Parte Newark29AK2560
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id37A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia200W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8V
Disipación de Potencia
200W
Rango de Producto
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
37A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08ohm
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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