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MSC080SMA120S
MOSFET, SIC, N-CH, 1.2KV, 35A, TO-268
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FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteMSC080SMA120SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante8 semanas
No. Parte Newark29AK2562
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteMSC080SMA120SCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante8 semanas
No. Parte Newark29AK2562
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id35A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2kV
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08ohm
Diseño de TransistorTO-268 (D3PAK)
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)20V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.8V
Disipación de Potencia182W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
35A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08ohm
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.8V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2kV
Diseño de Transistor
TO-268 (D3PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
182W
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Alternativas para el número de pieza MSC080SMA120S
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
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