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TC6320TG-G
MOSFET, N & P COMP, 200V, NSOIC-8 ROHS COMPLIANT: YES
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteTC6320TG-G
No. Parte Newark78AH2293
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N200V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P200V
Intensidad Drenador Continua Id0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente7ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente7ohm
Diseño de TransistorNSOIC
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N-
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
7ohm
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
200V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
200V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
7ohm
Diseño de Transistor
NSOIC
Disipación de Potencia de Canal N
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto
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