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VN3205N3-G
MOSFET de Potencia, Canal N, 50 V, 1.2 A, 0.3 ohm, TO-92, Agujero Pasante
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FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteVN3205N3-GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante6 semanas
No. Parte Newark53Y4338
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Información del producto
FabricanteMICROCHIP
No. Parte FabricanteVN3205N3-GCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante6 semanas
No. Parte Newark53Y4338
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50
Intensidad Drenador Continua Id1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.3ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.3
Diseño de TransistorTO-92
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2.4
Disipación de Potencia1
Disipación de Potencia Pd1W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50
Resistencia de Activación Rds(on)
0.3ohm
Diseño de Transistor
TO-92
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
1
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.3
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2.4
Disipación de Potencia Pd
1W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto