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MT25QU512ABB1EW9-0SIT
Memoria Flash, NOR Serial, 512 Mbit, 128M x 4bit, SPI, WPDFN-EP, 8 Pines
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT25QU512ABB1EW9-0SIT
No. Parte Newark80AH7569
Rango de Producto1.8V Serial NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT25QU512ABB1EW9-0SIT
No. Parte Newark80AH7569
Rango de Producto1.8V Serial NOR Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashNOR Serial
Densidad de Memoria512
Tamaño de la Memoria512Mbit
Configuración Memoria Flash128M x 4bit
Configuración de Memoria128M x 4bit
Tipo de Interfaz ICSPI
InterfacesSPI
Memoria, TipoWPDFN-EP
Estuche / Paquete CIWPDFN-EP
No. de Pines8Pines
Frecuencia Max de Reloj166
Frecuencia de Reloj166MHz
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Mín.1.7
Tensión de Alimentación Máx.2
Tensión de Alimentación Nom.1.8
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-40
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto1.8V Serial NOR Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
La MT25QU512ABB1EW9-0SIT es una memoria flash NOR serial de borrado de sectores. Es un dispositivo de memoria flash serie de múltiples entradas/salidas de alto rendimiento. Cuenta con una interfaz de bus compatible con SPI de alta velocidad, funcionalidad de ejecución en el lugar (XIP), mecanismos avanzados de protección contra escritura y acceso a direcciones extendidas. Los comandos de entrada/salida innovadores, de alto rendimiento, duales y cuádruples permiten duplicar o cuadriplicar el ancho de banda de transferencia para operaciones de lectura y programación.
- Rango de voltaje de 1.7 a 2.0V, densidad de 512Mb (64MB), 1 matrices/1 pila S#
- Segunda generación, Rev. B, configuración de pin HOLD#, sectores de 64 KB, tamaño de subsectores de 4KB y 32KB
- Seguridad predeterminada estándar, estándar
- Interfaz de bus serie compatible con SPI, velocidad de transferencia simple y doble (STR/DTR)
- Frecuencia de reloj: 166MHz (MAX) para todos los protocolos en STR, 90MHz (MAX) para todos los protocolos en DTR
- Comandos de E/S duales/cuádruples para aumentar el rendimiento hasta 90 MB/s
- Protocolo de E/S extendido, protocolo de E/S dual, protocolo de E/S cuádruple
- Ejecución in situ, operaciones PROGRAMAR/BORRAR SUSPENDER, ajustes de configuración volátiles y no volátiles
- Restablecimiento de software, modos de dirección de 3 bytes y 4 bytes: permite el acceso a la memoria más allá de 128Mb
- Paquete W-PDFN de 8 pines, rango de temperatura de funcionamiento de -40°C a +85°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
NOR Serial
Tamaño de la Memoria
512Mbit
Configuración de Memoria
128M x 4bit
Interfaces
SPI
Estuche / Paquete CI
WPDFN-EP
Frecuencia Max de Reloj
166
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Máx.
2
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Densidad de Memoria
512
Configuración Memoria Flash
128M x 4bit
Tipo de Interfaz IC
SPI
Memoria, Tipo
WPDFN-EP
No. de Pines
8Pines
Frecuencia de Reloj
166MHz
Tensión de Alimentación Mín.
1.7
Tensión de Alimentación Nom.
1.8
Temperatura de Trabajo Mín.
-40
Rango de Producto
1.8V Serial NOR Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:3A991
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto