MT28EW01GABA1HPC-0SIT

MT28EW01GABA1HPC-0SIT es una memoria flash NOR paralela integrada. Es un dispositivo de memoria Flash NOR paralelo, de bloque uniforme y asincrónico. Las operaciones de lectura, borrado y programación se realizan utilizando una única fuente de alimentación de bajo voltaje. Al encenderse, el dispositivo pasa de manera predeterminada al modo de matriz de lectura. La matriz de memoria principal está dividida en bloques uniformes que se pueden borrar de forma independiente para poder conservar los datos válidos mientras se eliminan los datos antiguos. Los comandos PROGRAMA y BORRAR se escriben en la interfaz de comandos de la memoria. El dispositivo admite lectura aleatoria asincrónica y lectura de páginas de todos los bloques de la matriz. También cuenta con un buffer de programa interno que mejora el rendimiento al programar 512 palabras a través de una secuencia de comandos. Un bloque de memoria extendida de 128 palabras superpone direcciones con el bloque de matriz 0. El dispositivo también cuenta con diferentes niveles de protección de hardware y software para proteger los bloques de modificaciones no deseadas.

• Tecnología de proceso de celda de un solo nivel (SLC), densidad: 1Gb
• Voltaje de alimentación: VCC = 2.7–3.6V (programa, borrado, lectura), VCCQ = 1.65 - VCC (búferes de E/S)
• Programa de palabra/byte: 25µs por palabra (típico), borrado de bloques (128KB): 0.2s (típ.)
• Desbloquear bypass, borrado de bloque, borrado de chip y capacidad de escritura en búfer
• Operación BLANK CHECK para verificar un bloque borrado
• Operación de VERIFICACIÓN DE REDUNDANCIA CÍCLICA (CRC) para verificar un patrón de programa
• Protección VPP/WP#: protege el primer o el último bloque independientemente de la configuración de protección de bloques.
• Conforme a JESD47: 100,000 (min) ciclos de borrado por bloque, retención de datos: 20 años (TÍPICO)
• Paquete LBGA de 64 bolas
• Rango de temperatura de funcionamiento de -40°C a +85°C