MT28EW01GABA1LJS-0SIT

MT28EW01GABA1LJS-0SIT es un dispositivo de memoria flash NOR paralelo, de bloque uniforme y asincrónico. Las operaciones de lectura, borrado y programación se realizan utilizando una única fuente de alimentación de bajo voltaje. Al encenderse, el dispositivo pasa de manera predeterminada al modo de matriz de lectura. La matriz de memoria principal está dividida en bloques uniformes que se pueden borrar de forma independiente para poder conservar los datos válidos mientras se eliminan los datos antiguos. Los comandos PROGRAMA y BORRAR se escriben en la interfaz de comandos de la memoria. Un controlador de programación/borrado en chip simplifica el proceso de programación o borrado de la memoria al encargarse de todas las operaciones especiales necesarias para actualizar el contenido de la memoria. Se puede detectar el final de una operación de PROGRAMA o BORRADO y se puede identificar cualquier condición de error. El conjunto de comandos necesario para controlar el dispositivo es compatible con las normas JEDEC.

• Voltaje de alimentación (VCC) de 2.7V a 3.6V
• Densidad de 1Gb, pila de un solo dado
• 2.ª generación, estructura de bloqueo bajo
• Seguridad predeterminada estándar, tecnología de proceso de celda de nivel único (SLC)
• Operación de verificación de borrado (Blank Check) para comprobar un bloque borrado; capacidad de suspender y reanudar la programación o el borrado
• Programa de palabra/byte: 25µs por palabra (típico), borrado por bloques (128Kb): 0.2s (típ.)
• Compatible con JESD47, 100,000 (mínimo) ciclos de BORRADO por bloque, retención de datos: 20 años (TÍPICO)
• Desbloquear bypass, borrado de bloque, borrado de chip y capacidad de escritura en búfer
• Protección volátil, protección no volátil, protección por contraseña
• Rango de temperatura de funcionamiento industrial de -40 °C a +85 °C; encapsulado TSOP de 56 pines.