MT28EW512ABA1HPC-0SIT
Memoria Flash, NOR Paralela, 512 Mbit, 32M x 16bit / 64M x 8bit, Paralelo, LBGA, 64 Pines
| Fabricante | MICRON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | MT28EW512ABA1HPC-0SITCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 42 semanas |
| No. Parte Newark | 80AH7609 |
| Rango de Producto | 3V Parallel NOR Flash Memories |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
¿Necesita más?
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $87.610 |
Información del producto
| Fabricante | MICRON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | MT28EW512ABA1HPC-0SITCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 42 semanas |
| No. Parte Newark | 80AH7609 |
| Rango de Producto | 3V Parallel NOR Flash Memories |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Memoria Flash | NOR Paralela |
| Densidad de Memoria | 512 |
| Tamaño de la Memoria | 512Mbit |
| Configuración Memoria Flash | 32M x 16bit / 64M x 8bit |
| Configuración de Memoria | 32M x 16bit / 64M x 8bit |
| Interfaces | Paralelo |
| Tipo de Interfaz IC | Parallel |
| Memoria, Tipo | LBGA |
| Estuche / Paquete CI | LBGA |
| No. de Pines | 64Pines |
| Frecuencia Max de Reloj | - |
| Frecuencia de Reloj | - |
| Tiempo de Acceso | 95 |
| Tensión de Alimentación Mín. | 2.7 |
| Tensión de Alimentación Máx. | 3.6 |
| Tensión de Alimentación Nom. | 3 |
| IC, Montaje | Surface Mount |
| Temperatura de Trabajo Mín. | -40 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 85 |
| Rango de Producto | 3V Parallel NOR Flash Memories |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 3 - 168 hours |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (17-Jan-2023) |
Resumen del producto
MT28EW512ABA1HPC-0SIT es un dispositivo de memoria flash NOR paralelo, de bloque uniforme y asincrónico. Las operaciones de lectura, borrado y programación se realizan utilizando una única fuente de alimentación de bajo voltaje. Al encenderse, el dispositivo pasa de manera predeterminada al modo de matriz de lectura. La matriz de memoria principal está dividida en bloques uniformes que se pueden borrar de forma independiente para poder conservar los datos válidos mientras se eliminan los datos antiguos. Los comandos PROGRAMA y BORRAR se escriben en la interfaz de comandos de la memoria. Un controlador de programación/borrado en chip simplifica el proceso de programación o borrado de la memoria al encargarse de todas las operaciones especiales necesarias para actualizar el contenido de la memoria. Se puede detectar el final de una operación de PROGRAMA o BORRADO y se puede identificar cualquier condición de error. El conjunto de comandos necesario para controlar el dispositivo es compatible con las normas JEDEC.
- Voltaje de alimentación (VCC) de 2.7V a 3.6V
- Densidad de 512Mb, pila de un solo dado
- 2.ª generación, estructura de bloqueo alto
- Seguridad predeterminada estándar, tecnología de proceso de celda de nivel único (SLC)
- Operación de verificación de borrado (Blank Check) para comprobar un bloque borrado; capacidad de suspender y reanudar la programación o el borrado
- Programa de palabra/byte: 25µs por palabra (típico), borrado por bloques (128Kb): 0.2s (típ.)
- Compatible con JESD47, 100,000 (mínimo) ciclos de BORRADO por bloque, retención de datos: 20 años (TÍPICO)
- Desbloquear bypass, borrado de bloque, borrado de chip y capacidad de escritura en búfer
- Protección volátil, protección no volátil, protección por contraseña
- Rango de temperatura de funcionamiento industrial de -40 °C a +85 °C, estilo de paquete LBGA de 64 bolas
Especificaciones técnicas
| Tipo de Memoria Flash | NOR Paralela |
|---|---|
| Tamaño de la Memoria | 512Mbit |
| Configuración de Memoria | 32M x 16bit / 64M x 8bit |
| Tipo de Interfaz IC | Parallel |
| Estuche / Paquete CI | LBGA |
| Frecuencia Max de Reloj | - |
| Tiempo de Acceso | 95 |
| Tensión de Alimentación Máx. | 3.6 |
| IC, Montaje | Surface Mount |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 85 |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 3 - 168 hours |
| Densidad de Memoria | 512 |
|---|---|
| Configuración Memoria Flash | 32M x 16bit / 64M x 8bit |
| Interfaces | Paralelo |
| Memoria, Tipo | LBGA |
| No. de Pines | 64Pines |
| Frecuencia de Reloj | - |
| Tensión de Alimentación Mín. | 2.7 |
| Tensión de Alimentación Nom. | 3 |
| Temperatura de Trabajo Mín. | -40 |
| Rango de Producto | 3V Parallel NOR Flash Memories |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (17-Jan-2023) |
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | 3A991B1A |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (17-Jan-2023) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |