MT29F8G08ABBCAH4-IT:C

MT29F8G08ABBCA es una memoria flash NAND. Los dispositivos flash NAND incluyen una interfaz de datos asincrónica para operaciones de E/S de alto rendimiento. Este dispositivo utiliza un bus de 8 bits altamente multiplexado (E/Ox) para transferir comandos, direcciones y datos. Hay cinco señales de control que se utilizan para implementar la interfaz de datos asincrónica: CE#, CLE, ALE, WE#, y RE#. Las señales adicionales controlan la protección contra escritura del hardware y monitorean el estado del dispositivo (R/B#). Esta interfaz de hardware crea un dispositivo con un número bajo de pines y una distribución de pines estándar que permanece igual de una densidad a otra, lo que permite futuras actualizaciones a densidades más altas sin necesidad de rediseñar la placa.

• Tecnología de celda de un solo nivel (SLC), rendimiento de E/S asíncrono
• Rendimiento de la matriz, la página del programa es de 200µs (típico)
• El conjunto de comandos es el protocolo flash NAND ONFI, conjunto de comandos avanzado
• Modo de caché de página de programa, modo de caché de página de lectura, modo programable de una sola vez (OTP)
• El byte de estado de operación proporciona un método de software para detectar la finalización de la operación.
• Condición de aprobación/rechazo, estado de protección contra escritura, calidad y confiabilidad
• RESET (FFh) requerido como primer comando después del encendido
• Densidad de 8 Gb, ancho de dispositivo de 8 bits, nivel SLC
• Voltaje de funcionamiento de 1.8V (1.7–1.95V), interfaz asíncrona
• Paquete VFBGA de 63 bolas, rango de temperatura de funcionamiento industrial de -40 °C a +85 °C