MT29F8G08ADADAH4-IT:D

MT29F8G08ADADAH4-IT:D es un dispositivo de memoria flash NAND que incluye una interfaz de datos asíncrona para operaciones de E/S de alto rendimiento. Este dispositivo utiliza un bus de 8 bits altamente multiplexado (E/Ox) para transferir comandos, direcciones y datos. Hay cinco señales de control que se utilizan para implementar la interfaz de datos asincrónica: CE#, CLE, ALE, WE#, y RE#. Las señales adicionales controlan la protección contra escritura del hardware y monitorean el estado del dispositivo (R/B#). Esta interfaz de hardware crea un dispositivo con un número bajo de pines y una distribución de pines estándar que permanece igual de una densidad a otra, lo que permite futuras actualizaciones a densidades más altas sin necesidad de rediseñar la placa. Un objetivo es la unidad de memoria a la que se accede mediante una señal de habilitación del chip. Un objetivo contiene una o más memorias flash NAND. Una memoria NAND Flash es la unidad mínima que puede ejecutar comandos e informar el estado de forma independiente. En la especificación ONFI, una memoria Flash NAND se denomina unidad lógica (LUN).

• Densidad de 8 Gb, ancho de dispositivo de 8 bits
• Nivel SLC, tensión de funcionamiento de 3.3V (de 2.7V a 3.6V)
• Conjunto de características D, interfaz asíncrona
• Tecnología de celda de un solo nivel (SLC), conjunto de comandos: Protocolo flash NAND ONFI
• Modo de caché de página de programa, modo de caché de página de lectura, modo programable de una sola vez (OTP)
• Finalización de la operación, condición de éxito/fracaso, estado de protección contra escritura
• La señal Listo/Ocupado# (R/B#) proporciona un método de hardware para detectar la finalización de la operación
• Señal WP#: protege contra escritura todo el dispositivo.
• Rango de temperatura de funcionamiento industrial de -40 °C a +85 °C, estilo de paquete VFBGA de 63 bolas