
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1224+ | $58.150 |
Información del producto
Resumen del producto
MT41K256M16TW-107 IT:P es una SDRAM DDR3L (1.35V) es una versión de bajo voltaje de la SDRAM DDR3 (1.5V). DDR3 SDRAM utiliza una arquitectura de doble velocidad de datos para lograr un funcionamiento a alta velocidad. La arquitectura de doble velocidad de datos es una arquitectura de captación previa de 8n con una interfaz diseñada para transferir dos palabras de datos por ciclo de reloj en los pines de E/S. Una sola operación de lectura o escritura para la SDRAM DDR3 consiste efectivamente en una única transferencia de datos de cuatro ciclos de reloj y 8n bits de ancho en el núcleo DRAM interno y ocho transferencias de datos correspondientes de medio ciclo de reloj y n bits de ancho en los pines de E/S. La luz estroboscópica de datos diferencial (DQS, DQS#) se transmite externamente, junto con los datos, para su uso en la captura de datos en el receptor de entrada SDRAM DDR3. DQS está alineado centralmente con los datos de WRITE. Los datos leídos se transmiten mediante la SDRAM DDR3 y se alinean con los bordes de las luces estroboscópicas de datos. Cuenta con temperatura de actualización automática (SRT), actualización automática (ASR), nivelación de escritura, registro multipropósito y calibración del controlador de salida.
- 32 Meg x 16 x 8 bancos, velocidad de datos de 1866MT/s
- Recuento de actualización de 8K, dirección de fila de 32K (A[14:0]), dirección de banco de 8 (BA[2:0]), dirección de columna de 1K (A[9:0])
- 1.07 ns con tiempo CL = 13 (DDR3-1866) - tiempo de ciclo
- VDD = VDDQ = 1.35V (1,283–1.45V) y compatible con versiones anteriores de VDD = VDDQ = 1.5V ±0.075V
- Estroboscopio de datos bidireccional diferencial, arquitectura de precarga de 8n bits, reloj diferencial I/P(CK, CK#)
- 8 bancos internos
- Terminación integrada (ODT) nominal y dinámica para señales de datos, estroboscópicas y de máscara
- Latencia (CL) CAS programable (READ), latencia aditiva CAS publicada programable (AL)
- Latencia CAS (ESCRITURA) programable (CWL)
- Rango industrial de -40 °C a +95 °C y paquete de 96 bolas (8mm x 14mm) Rev. P
Especificaciones técnicas
DDR3L
4Gbit
256M x 16bit
933
TFBGA
1.35
Surface Mount
95
No SVHC (17-Jan-2023)
4
256M x 16bit
933MHz
TFBGA
96Pines
1.07ns
-40
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
RoHS
RoHS
Certificado de conformidad del producto
