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MT47H32M16NF-25E:H
DRAM, DDR2, 512 Mbit, 32M x 16bit, 400 MHz, TFBGA, 84 Pines
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT47H32M16NF-25E:H
No. Parte Newark80AH8130
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT47H32M16NF-25E:H
No. Parte Newark80AH8130
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMDDR2
Densidad de Memoria512
Densidad de DRAM512Mbit
Configuración Memoria DRAM32M x 16bit
Configuración de Memoria32M x 16bit
Frecuencia Max de Reloj400
Frecuencia de Reloj400MHz
Estuche / Paquete CITFBGA
Memoria, TipoTFBGA
No. de Pines84Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.8
Tiempo de Acceso2.5ns
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.0
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 hours
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
DDR2
Densidad de DRAM
512Mbit
Configuración de Memoria
32M x 16bit
Frecuencia de Reloj
400MHz
Memoria, Tipo
TFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.8
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 hours
Densidad de Memoria
512
Configuración Memoria DRAM
32M x 16bit
Frecuencia Max de Reloj
400
Estuche / Paquete CI
TFBGA
No. de Pines
84Pines
Tiempo de Acceso
2.5ns
Temperatura de Trabajo Mín.
0
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
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