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MT53E1G32D2FW-046 IT:B
DRAM, LPDDR4, 32 Gbit, 1G x 32bit, 2.133 Ghz, TFBGA, 200 Pines
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| Fabricante | MICRON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | MT53E1G32D2FW-046 IT:BCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 52 semanas |
| No. Parte Newark | 25AK7956 |
| Su número de pieza |
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Información del producto
| Fabricante | MICRON |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | MT53E1G32D2FW-046 IT:BCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 52 semanas |
| No. Parte Newark | 25AK7956 |
| Tipo de DRAM | LPDDR4 Móvil |
| Densidad de Memoria | 32 |
| Densidad de DRAM | 32Gbit |
| Configuración Memoria DRAM | 1G x 32bit |
| Configuración de Memoria | 1G x 32bit |
| Frecuencia Max de Reloj | 2.133 |
| Frecuencia de Reloj | 2.133GHz |
| Memoria, Tipo | TFBGA |
| Estuche / Paquete CI | TFBGA |
| No. de Pines | 200Pines |
| Tensión de Alimentación Nom. | 1.1 |
| IC, Montaje | Surface Mount |
| Tiempo de Acceso | 468ps |
| Temperatura de Trabajo Mín. | -40 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 95 |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 3 - 168 hours |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (17-Dec-2015) |
Resumen del producto
El MT53E1G32D2 es un dispositivo de memoria de acceso aleatorio dinámico CMOS de alta velocidad, DDR4 SDRAM móvil de bajo consumo de 32Gb con bajo VDDQ (LPDDR4X). Este dispositivo está configurado internamente con 2 canales o 1 canal × 16 E/S, cada canal tiene 8 bancos.
- Arquitectura DDR prefetch 16n, 8 bancos internos por canal para operación simultánea
- Entrada CMD/ADR de velocidad de datos única, luz estroboscópica de datos bidireccional/diferencial por carril de byte
- Latencias de LECTURA y ESCRITURA programables (RL/WL), terminación VSS (ODT) programable
- Actualización dirigida por banco para operaciones bancarias simultáneas y facilidad de programación de comandos
- Sensor de temperatura en chip para controlar la frecuencia de actualización automática y actualización automática de matriz parcial (PASR)
- Intensidad de salida seleccionable (DS), capacidad de detención del reloj, compatibilidad con CK y DQS de un solo extremo
- Voltaje de funcionamiento 1.10V VDD2 / 0.60V VDDQ o 1.10V VDDQ
- Configuración de 1 Gig x 32, LPDDR4, direccionamiento de 2 matrices
- Paquete TFBGA de 200 bolas (Ø0.40 SMD), tiempo de ciclo de 468ps
- El rango de clasificación de temperatura de operación de -40°C a +95°C
Especificaciones técnicas
| Tipo de DRAM | LPDDR4 Móvil |
|---|---|
| Densidad de DRAM | 32Gbit |
| Configuración de Memoria | 1G x 32bit |
| Frecuencia de Reloj | 2.133GHz |
| Estuche / Paquete CI | TFBGA |
| Tensión de Alimentación Nom. | 1.1 |
| Tiempo de Acceso | 468ps |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 95 |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | MSL 3 - 168 hours |
| Densidad de Memoria | 32 |
|---|---|
| Configuración Memoria DRAM | 1G x 32bit |
| Frecuencia Max de Reloj | 2.133 |
| Memoria, Tipo | TFBGA |
| No. de Pines | 200Pines |
| IC, Montaje | Surface Mount |
| Temperatura de Trabajo Mín. | -40 |
| Rango de Producto | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | No SVHC (17-Dec-2015) |
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | No SVHC (17-Dec-2015) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |