Imprimir página
MT53E1G64D4NW-046 WT:C
DRAM, LPDDR4 Móvil, 64 Gbit, 1G x 64bit, 2.133 GHz, 432 Pines
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
1,146 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $15.590 |
| 5+ | $15.590 |
| 10+ | $15.590 |
| 25+ | $15.590 |
| 50+ | $15.590 |
| 100+ | $15.590 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$15.59
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E1G64D4NW-046 WT:C
No. Parte Newark67AJ1401
Tipo de DRAMLPDDR4 Móvil
Densidad de DRAM64Gbit
Densidad de Memoria64
Configuración de Memoria1G x 64bit
Configuración Memoria DRAM1G x 64bit
Frecuencia Max de Reloj2.133
Frecuencia de Reloj2.133GHz
Memoria, Tipo-
Estuche / Paquete CI-
No. de Pines432Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.1
IC, MontajeSurface Mount
Tiempo de Acceso468ps
Temperatura de Trabajo Mín.-25
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
MT53E1G64D4NW-046 WT:C es una SDRAM LPDDR4X/LPDDR4 móvil. La SDRAM DDR4 móvil de bajo consumo de 16Gb con bajo VDDQ (LPDDR4X) es un dispositivo de memoria de acceso aleatorio dinámico CMOS de alta velocidad. Este dispositivo está configurado internamente con 2 canales o 1 canal × 16 E/S, cada canal tiene 8 bancos.
- Arquitectura DDR de precarga 16n, compatibilidad con CK y DQS de un solo extremo
- 8 bancos internos por canal para operación concurrente
- Entrada CMD/ADR de velocidad de datos única, sensor de temperatura en chip para controlar la frecuencia de actualización automática
- Luz estroboscópica de datos bidireccional/diferencial por carril de byte
- Latencias de LECTURA y ESCRITURA programables (RL/WL)
- Longitudes de ráfaga programables y sobre la marcha (BL = 16, 32)
- Actualización dirigida por banco para operaciones bancarias simultáneas y facilidad de programación de comandos
- Densidad total de 8GB (64Gb), velocidad de datos de 4266Mb/s por pin, configuración de 1 Gig x 64
- Paquete VFBGA de 432 bolas
- Rango de temperatura de funcionamiento de -25°C a +85°C
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
LPDDR4 Móvil
Densidad de Memoria
64
Configuración Memoria DRAM
1G x 64bit
Frecuencia de Reloj
2.133GHz
Estuche / Paquete CI
-
Tensión de Alimentación Nom.
1.1
Tiempo de Acceso
468ps
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Densidad de DRAM
64Gbit
Configuración de Memoria
1G x 64bit
Frecuencia Max de Reloj
2.133
Memoria, Tipo
-
No. de Pines
432Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.
-25
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto