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MT53E256M32D2DS-053 WT:B
DRAM, LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pines
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E256M32D2DS-053 WT:BCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark83AH2738
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E256M32D2DS-053 WT:BCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante51 semanas
No. Parte Newark83AH2738
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMMobile LPDDR4
Densidad de Memoria8
Densidad de DRAM0
Configuración de Memoria256M x 32bit
Configuración Memoria DRAM0
Frecuencia de Reloj0
Frecuencia Max de Reloj1.866
Estuche / Paquete CIWFBGA
Memoria, Tipo0
No. de Pines200Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.1
IC, MontajeSurface Mount
Tiempo de Acceso0
Temperatura de Trabajo Mín.-30
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Resumen del producto
El MT53E256M32D2DS-053 WT:B es una memoria SDRAM LPDDR4X (DDR4 móvil de bajo consumo y bajo voltaje VDDQ) de 4Gb; se trata de una memoria de acceso aleatorio dinámico (DRAM) CMOS de alta velocidad. El dispositivo está configurada internamente con E/S x16, 8 bancos.
- Densidad total de 8Gb, velocidad de datos de 3733Mb/s por pin.
- Rango de voltaje de funcionamiento de 1.10V VDD2/0.60V o 1.10V VDDQ
- Configuración de 256 Meg x 32, LPDDR4, 2 troqueles
- Tiempo de ciclo tCK RL = 32/36 de 535ps
- Rango de frecuencia de 2133 a 10MHz (rango de velocidad de datos de 4266 a 20Mb/s por pin)
- Arquitectura DDR prefetch 16n, 8 bancos internos por canal para operación simultánea
- Entrada CMD/ADR de velocidad de datos única, luz estroboscópica de datos bidireccional/diferencial por carril de byte
- Latencia de LECTURA y ESCRITURA programables (RL/WL), longitudes de ráfaga programables y sobre la marcha (BL=16, 32)
- Encapsulado WFBGA de 200 bolas (Ø0.35 SMD)
- Rango de temperatura de funcionamiento de -30 a +85°C
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
Mobile LPDDR4
Densidad de DRAM
0
Configuración Memoria DRAM
0
Frecuencia Max de Reloj
1.866
Memoria, Tipo
0
Tensión de Alimentación Nom.
1.1
Tiempo de Acceso
0
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Densidad de Memoria
8
Configuración de Memoria
256M x 32bit
Frecuencia de Reloj
0
Estuche / Paquete CI
WFBGA
No. de Pines
200Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.
-30
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto