Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E2G32D4DE-046 WT:C
No. Parte Newark25AK7969
Hoja de datos técnicos
455 En Stock
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
Cantidad | Precio en USD |
---|---|
1+ | $59.400 |
5+ | $59.400 |
10+ | $59.400 |
25+ | $59.400 |
50+ | $55.160 |
100+ | $55.160 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$59.40
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E2G32D4DE-046 WT:C
No. Parte Newark25AK7969
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMLPDDR4 Móvil
Densidad de Memoria64Gbit
Configuración de Memoria2G x 32bit
Frecuencia Max de Reloj2.133GHz
Estuche / Paquete CITFBGA
Núm. de Contactos200Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.8V
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-25°C
Temperatura de Trabajo Máx.85°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Resumen del producto
La MT53E2G32D4DE-046 WT:C es una SDRAM LPDDR4 móvil con bajo VDDQ (LPDDR4X). Es un dispositivo de memoria de acceso aleatorio dinámico CMOS de alta velocidad. Este dispositivo está configurado internamente con 2 canales o 1 canal × 16 E/S, cada canal tiene 8 bancos.
- Rango de voltaje de funcionamiento de 1.10V VDD2/0.60V o 1.10V VDDQ
- Configuración de 2 Gig x 32, LPDDR4, 1 número de matrices
- Densidad total de 8GB (64Gb), velocidad de datos de 4266Mb/s por pin
- Arquitectura DDR prefetch 16n, 8 bancos internos por canal para operación simultánea
- Entrada CMD/ADR de velocidad de datos única, luz estroboscópica de datos bidireccional/diferencial por carril de byte
- Latencias de LECTURA y ESCRITURA programables (RL/WL), longitud de ráfaga programable y sobre la marcha (BL = 16,32)
- Actualización dirigida por banco para operaciones bancarias simultáneas y facilidad de programación de comandos
- Sensor de temperatura en chip para controlar la frecuencia de actualización automática y actualización automática de matriz parcial (PASR)
- Paquete TFBGA de 200 bolas
- Rango de temperatura de operación desde -25 a 85°C
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
LPDDR4 Móvil
Configuración de Memoria
2G x 32bit
Estuche / Paquete CI
TFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.8V
Temperatura de Trabajo Mín.
-25°C
Rango de Producto
-
Densidad de Memoria
64Gbit
Frecuencia Max de Reloj
2.133GHz
Núm. de Contactos
200Pines
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto