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MT53E768M32D2NP-053 RS WT:A
DRAM, LPDDR4 Móvil, 24 Gbit, 768M x 32bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pines
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FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E768M32D2NP-053 RS WT:ACopiar
No. Parte Newark80AH8445
Su número de pieza
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Información del producto
FabricanteMICRON
No. Parte FabricanteMT53E768M32D2NP-053 RS WT:ACopiar
No. Parte Newark80AH8445
Tipo de DRAMLPDDR4 Móvil
Densidad de DRAM24Gbit
Densidad de Memoria24
Configuración Memoria DRAM768M x 32bit
Configuración de Memoria768M x 32bit
Frecuencia de Reloj1.866GHz
Frecuencia Max de Reloj1.866
Estuche / Paquete CIWFBGA
Memoria, TipoWFBGA
No. de Pines200Pines
Tensión de Alimentación Nom.1.1
Tiempo de Acceso535ps
IC, MontajeSurface Mount
Temperatura de Trabajo Mín.-25
Temperatura de Trabajo Máx.85
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
LPDDR4 Móvil
Densidad de Memoria
24
Configuración de Memoria
768M x 32bit
Frecuencia Max de Reloj
1.866
Memoria, Tipo
WFBGA
Tensión de Alimentación Nom.
1.1
IC, Montaje
Surface Mount
Temperatura de Trabajo Máx.
85
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Densidad de DRAM
24Gbit
Configuración Memoria DRAM
768M x 32bit
Frecuencia de Reloj
1.866GHz
Estuche / Paquete CI
WFBGA
No. de Pines
200Pines
Tiempo de Acceso
535ps
Temperatura de Trabajo Mín.
-25
Rango de Producto
-
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto