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FabricanteMITSUBISHI ELECTRIC
No. Parte FabricanteCM50DU-24H
No. Parte Newark09B2229
Hoja de datos técnicos
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 29 semana(s)
Información del producto
FabricanteMITSUBISHI ELECTRIC
No. Parte FabricanteCM50DU-24H
No. Parte Newark09B2229
Hoja de datos técnicos
Configuración IGBTDoble [medio puente]
Transistor, PolaridadCanal N Dual
Corriente de Colector DC50A
Corriente del Colector Continua50A
Voltaje de Saturación Colector Emisor2.9V
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)2.9V
Disipación de Potencia Pd400W
Disipación de Potencia400W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo1.2kV
Temperatura de Union, Tj Máx.150°C
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Diseño de TransistorModule
Terminación del IGBTPestaña
No. de Pines7Pines
Voltaje Máx. Colector a Emisor1.2kV
Tecnología IGBT-
Montaje de TransistorPanel
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración IGBT
Doble [medio puente]
Corriente de Colector DC
50A
Voltaje de Saturación Colector Emisor
2.9V
Disipación de Potencia Pd
400W
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
1.2kV
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Terminación del IGBT
Pestaña
Voltaje Máx. Colector a Emisor
1.2kV
Montaje de Transistor
Panel
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Transistor, Polaridad
Canal N Dual
Corriente del Colector Continua
50A
Tensión de Saturación Colector-Emisor Vce(on)
2.9V
Disipación de Potencia
400W
Temperatura de Union, Tj Máx.
150°C
Diseño de Transistor
Module
No. de Pines
7Pines
Tecnología IGBT
-
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):No
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto