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2N7002PS,115
MOSFET Dual, Canal N, 60 V, 320 mA, 1 ohm
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte Fabricante2N7002PS,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK7917
Re-reeling (Rollos a medida)28T0308RL
Cinta adhesiva28T0308
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.564 | $2.82 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.82 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.564 |
| 50+ | $0.351 |
| 100+ | $0.225 |
| 250+ | $0.198 |
| 500+ | $0.171 |
| 1000+ | $0.153 |
| 2500+ | $0.149 |
| 5000+ | $0.146 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.111 |
| 9000+ | $0.096 |
| 15000+ | $0.088 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte Fabricante2N7002PS,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK7917
Re-reeling (Rollos a medida)28T0308RL
Cinta adhesiva28T0308
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N60V
Intensidad Drenador Continua Id320mA
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N320mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente1ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente-
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N320mW
Disipación de Potencia de Canal P-
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El 2N7002PS es un MOSFET de modo de mejora de canal N dual diseñado en un paquete de plástico de montaje en superficie muy pequeño que utiliza la tecnología Trench MOSFET. Es adecuado para su uso en controladores de relevador, controladores de línea de alta velocidad, interruptores de carga del lado bajo y circuitos de conmutación.
- Nivel lógico compatible
- Conmutación muy rápida
- Calificado AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
320mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
-
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
-
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
60V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
320mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
1ohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
320mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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