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BC857BW,115.
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Propósito General, PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBC857BW,115.Copiar
No. Parte Newark27AC0865
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadPNP
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo45V
Voltaje Máx. Colector a Emisor45
Corriente del Colector Continua100
Frecuencia de Transición-
Disipación de Potencia Pd200mW
Disipación de Potencia200
Corriente de Colector DC100mA
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Ganancia de Corriente DC hFE220hFE
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorSOT-323
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.220
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
PNP
Voltaje Máx. Colector a Emisor
45
Frecuencia de Transición
-
Disipación de Potencia
200
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
220
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
45V
Corriente del Colector Continua
100
Disipación de Potencia Pd
200mW
Corriente de Colector DC
100mA
Ganancia de Corriente DC hFE
220hFE
Diseño de Transistor
SOT-323
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BC857BW,115.
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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