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BSH103BKR
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 1 A, 0.27 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.775 | $0.78 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.78 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.775 |
| 10+ | $0.483 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.167 |
| 6000+ | $0.158 |
| 12000+ | $0.148 |
| 18000+ | $0.137 |
| 30000+ | $0.125 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBSH103BKRCopiar
No. Parte Newark
Hilado completo86AK4488
Re-reeling (Rollos a medida)32AJ0260
Cinta adhesiva32AJ0260
Rango de ProductoTrench
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id1A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.27ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1V
Disipación de Potencia480mW
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrench
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
BSH103BKR is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, and switching circuits.
- Low threshold voltage, very fast switching
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2kV HBM
- Drain-source voltage is 30V max at Tj = 25°C
- Gate-source voltage is 12V maximum
- Drain current is 1A max at VGS = 4.5V; Tamb = 25°C
- Peak drain current is 4A max at Tamb = 25°C; single pulse; tp ≤ 10µs
- Total power dissipation is 330mW max at Tamb = 25°C
- Source current is 0.4A max at Tamb = 25°C
- Total gate charge is 0.8nC typ at VDS = 15V; ID = 1A; VGS = 4.5V; Tj = 25°C
- Ambient temperature range from -55 to 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
480mW
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
Trench
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.27ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BSH103BKR
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto