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BSS84,215
MOSFET de Potencia, Canal P, 50 V, 130 mA, 10 ohm, TO-236AB, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBSS84,215Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo97W1932
Re-reeling (Rollos a medida)11N8504RL
Cinta adhesiva11N8504
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.435 | $0.44 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.44 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.435 |
| 50+ | $0.265 |
| 100+ | $0.167 |
| 250+ | $0.147 |
| 500+ | $0.126 |
| 1000+ | $0.111 |
| 2500+ | $0.109 |
| 5000+ | $0.107 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.083 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBSS84,215Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo97W1932
Re-reeling (Rollos a medida)11N8504RL
Cinta adhesiva11N8504
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50
Intensidad Drenador Continua Id130
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente10ohm
Resistencia de Activación Rds(on)6ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd250mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia250
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
BSS84,215 is a P-channel vertical D-MOS logic level FET in a plastic package using vertical D-MOS technology. It is used in line current interrupter in telephone sets and relay, high-speed and line transformer drivers.
- Low threshold voltage
- High-speed switching
- Direct interface to CMOS and TTL
- No secondary breakdown
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
10ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
130
Resistencia de Activación Rds(on)
6ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
250mW
Disipación de Potencia
250
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BSS84,215
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto