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BSS84AKW,115
MOSFET de Potencia, Canal P, 50 V, 150 mA, 7.5 ohm, SOT-323, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBSS84AKW,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK7303
Re-reeling (Rollos a medida)58T9007RL
Cinta adhesiva58T9007
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.353 | $0.35 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.35 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.353 |
| 50+ | $0.216 |
| 100+ | $0.134 |
| 250+ | $0.116 |
| 500+ | $0.098 |
| 1000+ | $0.085 |
| 2500+ | $0.083 |
| 5000+ | $0.082 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.072 |
| 6000+ | $0.068 |
| 12000+ | $0.064 |
| 18000+ | $0.059 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBSS84AKW,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK7303
Re-reeling (Rollos a medida)58T9007RL
Cinta adhesiva58T9007
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds50V
Intensidad Drenador Continua Id150mA
Resistencia de Activación Rds(on)4.5ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente7.5ohm
Diseño de TransistorSOT-323
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd260mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.6V
Disipación de Potencia260mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El BSS84AKW es un FET de modo de mejora de canal P en un pequeño paquete de plástico de montaje en superficie que utiliza la tecnología Trench MOSFET. El MOSFET de canal P es adecuado para aplicaciones de controlador de relevador, controlador de línea de alta velocidad, interruptor de carga de lado alto y circuito de conmutación.
- Nivel lógico compatible
- Protección ESD hasta 1kV
- Conmutación muy rápida
- Calificado AEC-Q101
- Rango de temperatura de unión entre -55 y 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
150mA
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
7.5ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
260mW
Disipación de Potencia
260mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
50V
Resistencia de Activación Rds(on)
4.5ohm
Diseño de Transistor
SOT-323
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.6V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza BSS84AKW,115
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto