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BUK4D38-20PX
MOSFET AEC-Q101 CANAL P 20V DFN2020MD
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FabricanteNEXPERIA
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
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Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark82AH4500
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id18A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.026ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorDFN2020MD
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)8V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente950mV
Disipación de Potencia19W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.026ohm
Diseño de Transistor
DFN2020MD
Voltaje de Prueba Rds(on)
8V
Disipación de Potencia
19W
No. de Pines
8Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
18A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
950mV
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificado de conformidad del producto