Imprimir página
BUK9Y14-80E,115
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 62 A, 0.0113 ohm, SOT-669, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBUK9Y14-80E,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark90W4306
Su número de pieza
3,000 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 4-6 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 6 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $3.370 |
| 10+ | $2.160 |
| 100+ | $1.440 |
| 500+ | $1.130 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.37
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBUK9Y14-80E,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante15 semanas
No. Parte Newark90W4306
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id62
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0113
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-669
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7
Disipación de Potencia147
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
BUK9Y14-80E,115 is a logic level N-channel MOSFET in a LFPAK56 (Power SO8) package using TrenchMOS technology. This product has been designed and qualified for the AEC Q101 standard for use in high-performance automotive applications. Typical applications include 12V, 24V and 48V automotive systems, motors, lamps and solenoid control, transmission control, ultra high performance power switching.
- Repetitive avalanche rated
- Suitable for thermally demanding environments due to 175°C rating
- True logic level gate with VGS(th) rating of greater than 0.5V at 175°C
- Drain-source breakdown voltage is 80V min at ID = 250µA; VGS = 0V, Tj=25°C
- Drain leakage current is 0.25µA typ at VDS=80V; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Drain-source on-state resistance is 12.2mohm typ at VGS = 5V; ID = 15A; Tj = 25°C
- Gate-drain charge is 8.7nC typical at ID = 15A; VDS = 64V; VGS = 5V;Tj = 25°C
- Rise time is 24.6ns typ at VDS = 60V, RL = 4ohm; VGS = 5V;RG(ext) = 5ohm; Tj = 25°C
- Fall time is 24.7ns typ at VDS = 60V, RL = 4ohm; VGS = 5V;RG(ext) = 5ohm; Tj = 25°C
- Source-drain voltage is 0.8V typ at IS = 15A; VGS = 0V; Tj = 25°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0113
Diseño de Transistor
SOT-669
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
62
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
147
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza BUK9Y14-80E,115
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto