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BUK9Y30-75B,115
MOSFET, N CH 75V 34A SOT669
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FabricanteNEXPERIA
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.820 |
| 10+ | $1.160 |
| 100+ | $0.769 |
| 500+ | $0.605 |
| 1000+ | $0.526 |
| 2500+ | $0.485 |
| 10000+ | $0.478 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteBUK9Y30-75B,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark35R0556
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds75V
Intensidad Drenador Continua Id34A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.028ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-669
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)5V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia85W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
75V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.028ohm
Diseño de Transistor
SOT-669
Voltaje de Prueba Rds(on)
5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
34A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
85W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
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