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NX2301P,215
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 2 A, 0.12 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNX2301P,215Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK7648
Re-reeling (Rollos a medida)55T6935RL
Cinta adhesiva55T6935
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.636 | $0.64 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.64 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.636 |
| 50+ | $0.393 |
| 100+ | $0.252 |
| 250+ | $0.222 |
| 500+ | $0.191 |
| 1000+ | $0.172 |
| 2500+ | $0.169 |
| 5000+ | $0.165 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.158 |
| 6000+ | $0.148 |
| 12000+ | $0.139 |
| 18000+ | $0.130 |
| 30000+ | $0.118 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNX2301P,215Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK7648
Re-reeling (Rollos a medida)55T6935RL
Cinta adhesiva55T6935
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.12ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.1ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd400mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente750mV
Disipación de Potencia400mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El NX2301P es un transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal P en un paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) que utiliza tecnología Trench MOSFET.
- RDSon de 1,8 V clasificado para accionamiento de puerta de bajo voltaje
- Conmutación muy rápida
- Calificado AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
2A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.1ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
400mW
Disipación de Potencia
400mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.12ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
750mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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