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NX3008NBKS,115
MOSFET Dual, Canal N, 30 V, 30 V, 350 mA, 350 mA, 1 ohm
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNX3008NBKS,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK7650
Re-reeling (Rollos a medida)75T7842RL
Cinta adhesiva75T7842
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.654 | $3.27 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $3.27 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.654 |
| 50+ | $0.402 |
| 100+ | $0.252 |
| 250+ | $0.220 |
| 500+ | $0.188 |
| 1000+ | $0.165 |
| 2500+ | $0.162 |
| 5000+ | $0.159 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.137 |
| 6000+ | $0.129 |
| 12000+ | $0.122 |
| 18000+ | $0.114 |
| 30000+ | $0.105 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNX3008NBKS,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK7650
Re-reeling (Rollos a medida)75T7842RL
Cinta adhesiva75T7842
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id350mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N350mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P350mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente1ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente1ohm
Diseño de TransistorSOT-363
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N445mW
Disipación de Potencia de Canal P445mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El NX3008NBKS es un transistor de efecto de campo (FET) de modo de mejora de canal N dual en un paquete de plástico de dispositivo montado en superficie (SMD) que utiliza tecnología Trench MOSFET. Adecuado para controlador de línea de alta velocidad e interruptor de carga de lado bajo.
- Conmutación muy rápida
- Voltaje de umbral bajo
- Protección contra ESD de hasta 2kV
- Calificado AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
350mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
1ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
445mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Intensidad Drenador Continua Id
350mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
350mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
1ohm
Diseño de Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia de Canal N
445mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto