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NX3008PBKV,115
MOSFET Dual, Canal P, 30 V, 30 V, 220 mA, 220 mA, 2.8 ohm
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FabricanteNEXPERIA
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Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark75T7849
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| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.799 |
| 10+ | $0.552 |
| 100+ | $0.223 |
| 500+ | $0.198 |
| 1000+ | $0.169 |
| 2500+ | $0.141 |
| 12000+ | $0.114 |
| 28000+ | $0.109 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricanteNX3008PBKV,115Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante10 semanas
No. Parte Newark75T7849
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Intensidad Drenador Continua Id220mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N220
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P220
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente2.8
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente2.8
Diseño de TransistorSOT-666
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N330
Disipación de Potencia de Canal P330
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
El NX3008PBKV es un MOSFET de modo de mejora de doble canal P en un paquete de plástico de montaje en superficie muy pequeño que utiliza la tecnología Trench MOSFET. Es adecuado para aplicaciones de controlador de relevador, controlador de línea de alta velocidad, interruptor de carga del lado bajo y circuito de conmutación.
- Características de conmutación muy rápidas
- Voltaje de umbral bajo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
220
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
2.8
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
330
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
220mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
220
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
2.8
Diseño de Transistor
SOT-666
Disipación de Potencia de Canal N
330
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto