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PBSS8110T,215
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 100 V, 1 A, 300 mW, TO-236AB, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePBSS8110T,215Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo93X4551
Re-reeling (Rollos a medida)38K6432RL
Cinta adhesiva38K6432
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Hilado completo | 5 | $0.198 | $0.00 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.99 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $1.190 |
| 10+ | $0.724 |
| 25+ | $0.636 |
| 50+ | $0.545 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.198 |
| 6000+ | $0.188 |
| 12000+ | $0.178 |
| 18000+ | $0.168 |
| 30000+ | $0.154 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePBSS8110T,215Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo93X4551
Re-reeling (Rollos a medida)38K6432RL
Cinta adhesiva38K6432
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor100V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo100V
Corriente del Colector Continua1A
Disipación de Potencia300mW
Disipación de Potencia Pd300mW
Diseño de TransistorSOT-23
Corriente de Colector DC1A
Ganancia de Corriente DC hFE150hFE
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición100MHz
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.150hFE
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
PBSS8110T,215 is a NPN low VCEsat transistor in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. Typical applications include major application segments: automotive 42V power, telecom infrastructure, industrial, power management: DC/DC converters, supply line switching, battery charger, LCD backlighting, peripheral drivers: driver in low supply voltage applications (e.g. lamps and LEDs), inductive load driver (e.g. relays, buzzers and motors).
- Low collector-emitter saturation voltage VCEsat
- High collector current capability: IC and ICM
- Collector-base breakdown voltage is 120V min at IC=100µA; IE=0A; Tamb=25°C
- Collector-emitter breakdown voltage is 100V min (IC=10mA, IB=0A, pulsed; tp ≤ 300μ, T=25°C)
- Emitter-base breakdown voltage (collector open) is 5V min at IE=100µA; IC=0A; Tamb=25°C
- DC current gain is 150 min at VCE=10V; IC=1mA; Tamb=25°C
- Transition frequency is 100MHz min at VCE=10V; IC=50mA; f=100MHz;Tamb=25°C
- Collector-emitter saturation resistance is 200mohm typ at IC=1A, IB=100mA, Tamb =25°C
- Total power dissipation is 300mW max at Tamb ≤ 25°C
- Ambient temperature range from -65 to 150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
100V
Disipación de Potencia
300mW
Diseño de Transistor
SOT-23
Ganancia de Corriente DC hFE
150hFE
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
150hFE
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. Colector a Emisor
100V
Corriente del Colector Continua
1A
Disipación de Potencia Pd
300mW
Corriente de Colector DC
1A
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
100MHz
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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