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PHT6NQ10T,135
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePHT6NQ10T,135Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante53 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK7690
Re-reeling (Rollos a medida)34R4505RL
Cinta adhesiva34R4505
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.250 | $1.25 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $1.25 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $1.250 |
| 50+ | $0.588 |
| 100+ | $0.523 |
| 250+ | $0.465 |
| 500+ | $0.408 |
| 1000+ | $0.400 |
| 2500+ | $0.392 |
| 5000+ | $0.384 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 4000+ | $0.426 |
| 12000+ | $0.417 |
| 20000+ | $0.385 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePHT6NQ10T,135Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante53 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK7690
Re-reeling (Rollos a medida)34R4505RL
Cinta adhesiva34R4505
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id3A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.09ohm
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3V
Disipación de Potencia8.3W
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-223
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3V
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.09ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
8.3W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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