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PMBT5551,215
Transistor Bipolar (BJT) Individual, NPN, 160 V, 300 mA, 250 mW, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMBT5551,215
No. Parte Newark67T1343
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor160
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo160V
Corriente del Colector Continua300
Disipación de Potencia250
Disipación de Potencia Pd250mW
Corriente de Colector DC300mA
Diseño de TransistorSOT-23
Ganancia de Corriente DC hFE30hFE
Montaje de TransistorSurface Mount
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición300
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.30
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza PMBT5551,215
1 producto (s) encontrado (s)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
160V
Disipación de Potencia
250
Corriente de Colector DC
300mA
Ganancia de Corriente DC hFE
30hFE
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
30
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje Máx. Colector a Emisor
160
Corriente del Colector Continua
300
Disipación de Potencia Pd
250mW
Diseño de Transistor
SOT-23
Montaje de Transistor
Surface Mount
Frecuencia de Transición
300
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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