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PMCPB5530X,115
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.026 ohm
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FabricanteNEXPERIA
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Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark84W8052
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| Cantidad | Precio en USD |
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| 10+ | $0.937 |
| 100+ | $0.624 |
| 500+ | $0.489 |
| 1000+ | $0.444 |
| 2500+ | $0.436 |
| 10000+ | $0.426 |
Precio para:Cada
Mínimo: 5
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
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Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark84W8052
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N5.3
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P5.3
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.026
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.026
Diseño de TransistorSOT-1118
No. de Pines8Pines
Disipación de Potencia de Canal N1.17
Disipación de Potencia de Canal P1.17
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The PMCPB5530X is a N/P-channel complementary enhancement-mode FET in a small and leadless ultra thin surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for DC-to-DC converters and small brushless DC motor drive applications.
- Very fast switching characteristics
- Exposed drain pad for excellent thermal conduction
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
5.3
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.026
No. de Pines
8Pines
Disipación de Potencia de Canal P
1.17
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
5.3
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.026
Diseño de Transistor
SOT-1118
Disipación de Potencia de Canal N
1.17
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
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1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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