Imprimir página
PMDT290UCE,115
MOSFET Dual, Canal complementario N y P, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
3,755 En Stock
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK stock)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.354 |
| 10+ | $0.276 |
| 100+ | $0.149 |
| 500+ | $0.129 |
| 1000+ | $0.110 |
| 2500+ | $0.097 |
| 12000+ | $0.090 |
| 28000+ | $0.089 |
Precio para:Cada
Mínimo: 5
Múltiple: 5
$1.77
Agregar número de pieza /nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Este número se agregará a la confirmación del pedido, la factura, la nota de envío, el correo electrónico de confirmación y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMDT290UCE,115
No. Parte Newark75T8010
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalComplementary N and P Channel
Intensidad Drenador Continua Id800mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N20
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N800
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P800
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.29
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.29
Diseño de TransistorSOT-666
Núm. de Contactos6Pines
Disipación de Potencia de Canal N330
Disipación de Potencia de Canal P330
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El PMDT290UCE es un FET de modo de mejora complementario de canal N/P en un paquete de plástico de montaje en superficie de plomo plano y ultra pequeño que utiliza tecnología Trench MOSFET. Es adecuado para aplicaciones de controlador de relevador, controlador de línea de alta velocidad, interruptor de carga del lado bajo y circuito de conmutación.
- Características de conmutación muy rápidas
- Protección ESD hasta 2kV
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Complementary N and P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
800
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.29
Núm. de Contactos
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
330
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Intensidad Drenador Continua Id
800mA
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
800
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.29
Diseño de Transistor
SOT-666
Disipación de Potencia de Canal N
330
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto