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PMDXB590UPEZ
MOSFET, DUAL CANAL P, 20V 0.57A DFN1010B
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMDXB590UPEZCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)80AK3423RL
Cinta adhesiva80AK3423
Rango de ProductoTrenchMOS Series
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Disponible para realizar pedido
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.824 | $4.12 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $4.12 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.824 |
| 50+ | $0.515 |
| 100+ | $0.335 |
| 250+ | $0.297 |
| 500+ | $0.258 |
| 1000+ | $0.232 |
| 2500+ | $0.211 |
| 5000+ | $0.207 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMDXB590UPEZCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)80AK3423RL
Cinta adhesiva80AK3423
Rango de ProductoTrenchMOS Series
Tipo de CanalDual P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N-
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P570mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente-
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.77ohm
Diseño de TransistorDFN1010B
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N-
Disipación de Potencia de Canal P280mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de ProductoTrenchMOS Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Dual P Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
570mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.77ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
280mW
Rango de Producto
TrenchMOS Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
-
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
DFN1010B
Disipación de Potencia de Canal N
-
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto