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PMGD175XNEX
MOSFET, DOBLE CANAL N, 30V, 0.87A, TSSOP
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMGD175XNEXCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5946
Re-reeling (Rollos a medida)74AH1151RL
Cinta adhesiva74AH1151
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 12 semana(s)
Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.613 | $3.06 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $3.06 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.613 |
| 15+ | $0.374 |
| 25+ | $0.367 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.133 |
| 9000+ | $0.116 |
| 15000+ | $0.113 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMGD175XNEXCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante12 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5946
Re-reeling (Rollos a medida)74AH1151RL
Cinta adhesiva74AH1151
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N30V
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds0
Intensidad Drenador Continua Id0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N870mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P870mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente0.211ohm
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente0.211ohm
Diseño de TransistorTSSOP
No. de Pines6Pines
Disipación de Potencia de Canal N390mW
Disipación de Potencia de Canal P390mW
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
0
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
870mA
Resistencia de Encendido Canal P Drenaje a Fuente
0.211ohm
No. de Pines
6Pines
Disipación de Potencia de Canal P
390mW
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Voltaje de Drenaje Fuente Vds Canal N
30V
Intensidad Drenador Continua Id
0
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
870mA
Resistencia de Encendido Canal N Drenaje a Fuente
0.211ohm
Diseño de Transistor
TSSOP
Disipación de Potencia de Canal N
390mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto