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PMPB14XNX
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 8.1 A, 0.018 ohm, DFN2020MD, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
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Tiempo de entrega estándar del fabricante53 semanas
No. Parte Newark71AH5494
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
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Tiempo de entrega estándar del fabricante53 semanas
No. Parte Newark71AH5494
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40V
Intensidad Drenador Continua Id8.1A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.018ohm
Diseño de TransistorDFN2020MD
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente650mV
Disipación de Potencia1.9W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
DFN2020MD
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1.9W
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
8.1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.018ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
650mV
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
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