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PMV16XNR
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 6.8 A, 0.02 ohm, TO-236AB, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMV16XNRCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante53 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5965
Re-reeling (Rollos a medida)68Y7841RL
Cinta adhesiva68Y7841
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.575 | $0.58 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.58 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.575 |
| 50+ | $0.273 |
| 100+ | $0.244 |
| 250+ | $0.218 |
| 500+ | $0.192 |
| 1000+ | $0.188 |
| 2500+ | $0.184 |
| 5000+ | $0.180 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.169 |
| 9000+ | $0.161 |
| 15000+ | $0.144 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMV16XNRCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante53 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5965
Re-reeling (Rollos a medida)68Y7841RL
Cinta adhesiva68Y7841
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id6.8A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02ohm
Diseño de TransistorTO-236AB
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente650mV
Disipación de Potencia510mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The PMV16XN is a N-channel enhancement-mode FET in a small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in LED driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Low threshold voltage
- Very fast switching
- Enhanced power dissipation capability of 1200mW
- -55 to 150°C Junction temperature range
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-236AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
650mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
6.8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
510mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza PMV16XNR
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto