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PMV45EN2R
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 5.1 A, 35 mohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMV45EN2RCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante53 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5982
Re-reeling (Rollos a medida)44AC2810RL
Cinta adhesiva44AC2810
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.472 | $0.47 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.47 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.472 |
| 50+ | $0.220 |
| 100+ | $0.196 |
| 250+ | $0.175 |
| 500+ | $0.153 |
| 1000+ | $0.149 |
| 2500+ | $0.146 |
| 5000+ | $0.143 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.148 |
| 9000+ | $0.135 |
| 15000+ | $0.114 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMV45EN2RCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante53 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5982
Re-reeling (Rollos a medida)44AC2810RL
Cinta adhesiva44AC2810
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30V
Intensidad Drenador Continua Id5.1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.042ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.5V
Disipación de Potencia510mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
PMV45EN2R is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, switching circuits.
- Logic level compatible, very fast switching
- Drain-source breakdown voltage is 30V min at ID = 250µA; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Gate-source threshold voltage is 1.5V typ at ID = 250µA; VDS=VGS; Tj = 25°C
- Drain leakage current is 1µA max at VDS = 30V; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Drain-source on-state resistance is 35mohm typ at VGS = 10V; ID = 4.1A; Tj = 25°C
- Source-drain voltage is 0.8V typ at IS = 1A; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Rise time is 12ns typ at VDS = 15 V; ID = 3.2A; VGS = 10V;RG(ext) = 6ohm; Tj = 25°C
- Fall time is 2ns typ at VDS = 15 V; ID = 3.2A; VGS = 10V;RG(ext) = 6ohm; Tj = 25°C
- Ambient temperature range from -55°C to +150°C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.042ohm
Diseño de Transistor
SOT-23
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.5V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
5.1A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
510mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto