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PMV48XPA2R
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 4 A, 0.049 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMV48XPA2RCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5983
Re-reeling (Rollos a medida)54AH3568RL
Cinta adhesiva54AH3568
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $0.933 | $0.93 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $0.93 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $0.933 |
| 50+ | $0.584 |
| 100+ | $0.381 |
| 250+ | $0.337 |
| 500+ | $0.294 |
| 1000+ | $0.263 |
| 2500+ | $0.258 |
| 5000+ | $0.253 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.203 |
| 6000+ | $0.191 |
| 12000+ | $0.183 |
| 18000+ | $0.171 |
| 30000+ | $0.158 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMV48XPA2RCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5983
Re-reeling (Rollos a medida)54AH3568RL
Cinta adhesiva54AH3568
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id4A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.049ohm
Diseño de TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)8V
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente950mV
Disipación de Potencia610mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
SOT-23
Voltaje de Prueba Rds(on)
8V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
950mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.049ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
610mW
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto