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PMV65XP,215
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 4.3 A, 0.074 ohm, TO-236AB, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMV65XP,215Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo97W2519
Re-reeling (Rollos a medida)34R4595RL
Cinta adhesiva34R4595
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.497 | $2.48 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.48 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.497 |
| 10+ | $0.310 |
| 15+ | $0.282 |
| 25+ | $0.254 |
| 50+ | $0.227 |
| 125+ | $0.200 |
| 250+ | $0.177 |
| 500+ | $0.154 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 3000+ | $0.122 |
| 9000+ | $0.120 |
| 15000+ | $0.117 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMV65XP,215Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo97W2519
Re-reeling (Rollos a medida)34R4595RL
Cinta adhesiva34R4595
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20V
Intensidad Drenador Continua Id4.3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.074ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0.058ohm
Diseño de TransistorTO-236AB
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5V
Disipación de Potencia Pd833mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente750mV
Disipación de Potencia833mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The PMV65XP,215 is a P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a Surface Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
- Low Threshold Voltage
- Low On-state Resistance
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.074ohm
Diseño de Transistor
TO-236AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
750mV
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.3A
Resistencia de Activación Rds(on)
0.058ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
833mW
Disipación de Potencia
833mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Alternativas para el número de pieza PMV65XP,215
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto