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PMXB360ENEAZ
MOSFET, CANAL N, 80 V, 1.1 A, DFN-3
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMXB360ENEAZCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5991
Re-reeling (Rollos a medida)68Y7847RL
Cinta adhesiva68Y7847
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Opciones de embalaje
| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $0.597 | $2.98 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.98 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5+ | $0.597 |
| 10+ | $0.384 |
| 15+ | $0.352 |
| 25+ | $0.319 |
| 50+ | $0.287 |
| 125+ | $0.255 |
| 250+ | $0.228 |
| 500+ | $0.200 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 5000+ | $0.149 |
| 15000+ | $0.134 |
| 25000+ | $0.131 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePMXB360ENEAZCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante54 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5991
Re-reeling (Rollos a medida)68Y7847RL
Cinta adhesiva68Y7847
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80V
Intensidad Drenador Continua Id1.1A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.345ohm
Diseño de TransistorDFN1010D
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1.7V
Disipación de Potencia400mW
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Norma de Cualificación Automotriz0
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
DFN1010D
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1.7V
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Norma de Cualificación Automotriz
0
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
1.1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.345ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
400mW
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto