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PSMN013-100BS,118
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 68 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN013-100BS,118Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)74AH1179RL
Cinta adhesiva74AH1179
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| Tipo de paquete | Cantidad | Precio unitario: | Total (Dólares USD) |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $2.860 | $2.86 |
| Total (Dólares USD) Precio en USD | $2.86 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.860 |
| 50+ | $1.840 |
| 100+ | $1.260 |
| 250+ | $1.240 |
| 500+ | $1.210 |
| 1000+ | $1.180 |
| 2500+ | $1.160 |
| 5000+ | $1.130 |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN013-100BS,118Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)74AH1179RL
Cinta adhesiva74AH1179
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id68
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.0139ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia170
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
PSMN013-100BS,118 is a N-channel 100V 13.9mohm standard level MOSFET designed and qualified for use in a wide range of industrial, communications and domestic equipment. Also used at DC-to-DC converters, load switching, motor control and server power supplies.
- High efficiency due to low switching and conduction losses
- Suitable for standard level gate drive
- 10V Rds(on) test voltage
- 100V drain source voltage (Vds)
- 3V max gate source threshold voltage
- 170W power dissipation
- Junction temperature range from -55 to 175°C
- 3 leads D2PAK package
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.0139ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
170
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
68
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto