Imprimir página
PSMN013-100YSEX
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 58 A, 11 mohm, PowerSO, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN013-100YSEXCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark55W5042
Su número de pieza
Disponible para realizar pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 14 semana(s)
| Cantidad | Precio en USD |
|---|---|
| 1+ | $2.730 |
| 10+ | $1.760 |
| 100+ | $1.200 |
| 500+ | $0.962 |
| 1000+ | $0.943 |
| 2500+ | $0.924 |
| 5000+ | $0.905 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.73
nota de línea
Se agregó a su confirmación de pedido, factura y nota de envío solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteNEXPERIA
No. Parte FabricantePSMN013-100YSEXCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante14 semanas
No. Parte Newark55W5042
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id58
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente11
Resistencia de Activación Rds(on)0.011ohm
Diseño de TransistorSOT-669
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd238W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia238
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The PSMN013-100YSE is a N-channel standard level MOSFET offers enhanced forward biased safe operating area for superior linear mode operation. The part of NXP's NextPower Live portfolio, PSMN013-100YSE complements the latest hot-swap controllers - robust enough to withstand substantial inrush currents during turn on, whilst offering a low RDS (ON) characteristic to keep temperatures down and efficiency up in continued use. Ideal for telecommunication systems based on a 48V backplane/supply rail.
- Very low RDS (ON) for low conduction losses
- -55 to 175°C Junction temperature range
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
11
Diseño de Transistor
SOT-669
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
4Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
58
Resistencia de Activación Rds(on)
0.011ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
238W
Disipación de Potencia
238
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza PSMN013-100YSEX
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto