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PSMN026-80YS,115.
MOSFET de Potencia, Canal N, 80 V, 34 A, 0.02 ohm, SOT-669, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
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No. Parte Newark26AC3081
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
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No. Parte Newark26AC3081
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds80
Intensidad Drenador Continua Id34
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.02
Resistencia de Activación Rds(on)0.02ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd74W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Diseño de TransistorSOT-669
Disipación de Potencia74
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (08-Jul-2021)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
80
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.02
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-669
No. de Pines
4Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
34
Resistencia de Activación Rds(on)
0.02ohm
Disipación de Potencia Pd
74W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
Disipación de Potencia
74
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (08-Jul-2021)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para el número de pieza PSMN026-80YS,115.
1 producto (s) encontrado (s)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (08-Jul-2021)
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